Показать сообщение отдельно
Старый 23.03.2012, 02:39   #1796
Пользователь
 
Регистрация: 03.01.2010
Адрес: Бирск
Сообщений: 82
Поблагодарили: 93
Вес репутации: 16
Репутация: 11
По умолчанию

Цитата:
Сообщение от белша Посмотреть сообщение
Бирь,
Опровержения теории нет, фактически одна ИМС 30-50 Вт это один активный элемент с минимумом обвязки работающей в далеко не предельных тепло и электро режимах, а теперь прикинем усь на 600Вт, соко активных элементов плюс режимы работы...
Согласен прикинем.
Условия:
1. Усилители одного класса например АБ
2. Одинаковые блоки питания
3. Одинаковый коэфициент использования активных РЭ не более 0,7 от максимальных параметров ( типовое для изделий гражданского назначения)
4.Примем одинаковой вероятность безотказной работы транзистора и
интегрального усилителя мощности (хотя у микросхемы УМ она значительно ниже чем у транзистора)
5.прикинем сколько выходных транисторов необходимо для наших условий для наихудшего варианта КПД=0,5 600х0,5=3оо. 300+600=900
900х0,7+900=1530вт - суммарная мощность рассеивания выходного
каскада . 10 транзисторов в корпусе ТО218 легко обеспечат требуемую мощность.
6. Исключим из рассмотрения все РЭ с нагрузкой менее 0,7.
На поле останутся 20 микросхем против10 транзисторов с равной
вероятностью безотказной работы .

Вероятность отказа у усилительного модуля на микросхемах
вдвое выше чем у транзисторного .

Несмотря на обилие микросхем в професиональных усилителях от 200вт и выше выходной каскад построен на транзисторах.
С уважением Бирь.
Бирь вне форума   Ответить с цитированием
Дополнительная информация